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等离子体增强型CVD设备 PD-3800L

发布日期:2022-05-18

PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)的锁载等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。

该系统由于采用了大型反应室,并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理,因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜,具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择,具有优异的重复性。

主要特点和优势

最大加工范围:ø360 mm (ø3" x 9, ø4" x 6, ø6" x 3)

优异的均匀性和应力控制

卓越的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统,最低的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面,用于参数控制和配方存储。

应用

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液体前驱体(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2

等离子体增强型CVD设备 PD-3800L

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