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AMAT AME 8100 等离子蚀刻机用于反应离子氧化物、氮化物和抗蚀剂除渣的蚀刻。系统是配置为处理 4"、5" 或 6" 晶圆。系统是完整并处于良好的运行状态，附带大量备件。...
AMAT 二手刻蚀设备Centura 5200生产于1998年，针对于6-8英寸JMF形晶圆进行刻蚀处理。...
AMAT 刻蚀设备CENTURA DPS 2，具有4个作业腔室，3个DPS II腔室和一个Axiom室，采用ASHERS过程工艺，针对于12英寸晶圆进行高效处理。...
UNITY™ Me 在 200 毫米晶圆内实现等离子蚀刻工艺的卓越性价比，提供卓越的可靠性和生产力。近年来，该系统通过演示用于尖端功率器件制造的高性能 Si/SiC 沟槽蚀刻工艺，获得了大量好...
TEL刻蚀系统Certas LEAGA™ 是一种环保、高通量的气体化学蚀刻系统，专为 300 毫米晶圆而设计，无需使用液体即可提供表面蚀刻和清洁。...
TEL刻蚀系统Tactras™ 是一种高度可靠的 300 毫米等离子蚀刻系统，可提高蚀刻工艺的工作效率。...
半自动SB6/8 Gen2是SUSS MicroTec最先进的通用晶片键合系统，可处理高达200 mm的晶片，并支持各种亚战略类型和尺寸。可变机器配置满足各种不同的工艺要求和拥有成本要求。...
SUSS MicroTec的半自动湿处理系统AD12为水介质应用提供了卓越的清洁和开发功能。单晶片处理平台可用于工件，晶片尺寸高达300mm，方形基板高达230mmx230mm，用于晶片的带框高达300mm。它处理...
SEZ二手湿法清洗设备RST201于1996年投入使用，针对8英寸晶圆进行湿法刻蚀处理。...
SCREEN二手清洗设备WS-820L，针对8英寸晶圆的高通量批量清洗系统可实现灵活的生产线配...
Mattson二手RTP设备AST3000于2004年开始投入使用，针对于12英寸的晶圆快速热处理设备。...
ULVAC爱发科多腔溅射设备Entron EX W300是在Al、Cu、高熔点金属布线工序中有很多实绩的单片式多室对应平台。适应下一代流程的SIS（Self-Ion Sputter）-PVD、金属CVD/ALD、DRY预处理模块的组合且可...
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