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Gasonics等离子刻蚀系统L3510 设计用于半导体晶圆的灰化和清洗。Gasonics等离子刻蚀系统L3510 通过产生单原子氧（一种活性物质）来做到这一点，它与晶圆表面的光刻胶发生化学反应。...
LAM RESEARCH刻蚀系统TCP 9400最初设计用于生产多晶硅蚀刻，可批量处理6英寸晶圆...
LRC Rainbow 蚀刻机专为连续操作而设计，由计算机控制，允许手动或自动控制。Lam Rainbow 44XX 系列可用于硅化钨、氮化硅、多晶硅、氧化物、结晶硅等。...
HITACHI二手翻新现货刻蚀机M308 AT采用金属蚀刻工艺，针对于8英寸(200mm)尺寸的晶圆处理。...
AMAT等离子蚀刻机AME 8100用于反应离子氧化物、氮化物和抗蚀剂除渣的蚀刻。系统是配置为处理4英寸、5英寸或6英寸晶圆。系统是完整并处于良好的运行状态，附带大量备件。...
AMAT 二手刻蚀设备Centura 5200生产于1998年，针对于6-8英寸JMF形晶圆进行刻蚀处理。...
AMAT 刻蚀设备CENTURA DPS 2，具有4个作业腔室，3个DPS II腔室和一个Axiom室，采用ASHERS过程工艺，针对于12英寸晶圆进行高效处理。...
UNITY™ Me 在 200 毫米晶圆内实现等离子蚀刻工艺的卓越性价比，提供卓越的可靠性和生产力。近年来，该系统通过演示用于尖端功率器件制造的高性能 Si/SiC 沟槽蚀刻工艺，获得了大量好...
TEL刻蚀系统Certas LEAGA™ 是一种环保、高通量的气体化学蚀刻系统，专为 300 毫米晶圆而设计，无需使用液体即可提供表面蚀刻和清洁。...
TEL刻蚀系统Tactras™ 是一种高度可靠的 300 毫米等离子蚀刻系统，可提高蚀刻工艺的工作效率。...
半自动SB6/8 Gen2是SUSS MicroTec最先进的通用晶片键合系统，可处理高达200 mm的晶片，并支持各种亚战略类型和尺寸。可变机器配置满足各种不同的工艺要求和拥有成本要求。...
SUSS MicroTec的半自动湿处理系统AD12为水介质应用提供了卓越的清洁和开发功能。单晶片处理平台可用于工件，晶片尺寸高达300mm，方形基板高达230mmx230mm，用于晶片的带框高达300mm。它处理...
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