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公司针对不同产品(如MEMSMICROLEDDMOSCMOS 等),具备资深的工艺人才和技术基础,能够针对不同的产品特性进行设备选型、技术匹配及工艺试验,完成整套芯片设计、制造、检测的流程。

 

制造芯片需要在晶圆片上不断累加图案,这些图案纵向连接,可达100多层。

芯片的制造包含数百个步骤,在晶圆厂的无尘室里,珍贵的晶圆片通过机械设备不断传送,整个过程中,空气质量和温度都受到严格控制。

芯片制造的关键工艺(10大步骤)

沉积

制造芯片的第一步,通常是将材料薄膜沉积到晶圆上。材料可以是导体、绝缘体或半导体。

光刻胶涂覆

进行光刻前,首先要在晶圆上涂覆光敏材料“光刻胶”或“光阻”,然后将晶圆放入光刻机。

曝光

在掩模版上制作需要印刷的图案蓝图。晶圆放入光刻机后,光束会通过掩模版投射到晶圆上。光刻机内的光学元件将图案缩小并聚焦到光刻胶涂层上。在光束的照射下,光刻胶发生化学反应,光罩上的图案由此印刻到光刻胶涂层。

计算光刻

光刻期间产生的物理、化学效应可能造成图案形变,因此需要事先对掩模版上的图案进行调整,确保最终光刻图案的准确。现有光刻数据及圆晶测试数据整合,制作算法模型,精确调整图案。

烘烤与显影

晶圆离开光刻机后,要进行烘烤及显影,使光刻的图案永久固定。洗去多余光刻胶,部分涂层留出空白部分。

刻蚀

显影完成后,使用气体等材料去除多余的空白部分,形成3D电路图案。

计量和检验

芯片生产过程中,始终对晶圆进行计量和检验,确保没有误差。检测结果反馈至光刻系统,进一步优化、调整设备。

离子注入

在去除剩余的光刻胶之前,可以用正离子或负离子轰击晶圆,对部分图案的半导体特性进行调整。

视需要重复制程步驟

从薄膜沉积到去除光刻胶,整个流程为晶圆片覆盖上一层图案。而要在晶圆片上形成集成电路,完成芯片制作,这一流程需要不断重复,可多达100次。

封装芯片

最后一步,切割晶圆,获得单个芯片,封装在保护壳中。这样,成品芯片就可以用来生产电视、平板电脑或者其他数字设备了!

迷你摩天大楼

正如上文提到的“视需要重复制程步骤”,现代芯片的结构可多达100层,需要以纳米级的精度相互叠加,这精度又称为“套刻精度”。芯片上光刻的各层图案大小不一,这意味着,光刻各层图案需要用到不同设备。DUV深紫外线光刻机有数种不同的机种,适合最小图案的关键性光刻需求以及普通图案的正常光刻。





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