UNITY™ Me 在 200 毫米晶圆内实现等离子蚀刻工艺的卓越性价比，提供卓越的可靠性和生产力。近年来，该系统通过演示用于尖端功率器件制造的高性能 Si/SiC 沟槽蚀刻工艺，获得了大量好评。
UNITY™ Me 是用于 100/150/200mm 晶圆直径的具有成本效益的干法蚀刻系统，近年来作为一种高效系统再次受到关注，并且仍然作为新产品销售。有丰富的特殊腔室规格，如 SCCM™、用于 SiO 2 /SiN 蚀刻的 DRM 和用于 Si/SiC 沟槽蚀刻的 UD 腔室。TEL 通过使用内部评估工具在工艺演示中密切合作，为客户提供广泛的蚀刻应用。
