这些i-line步进器具有与尼康DUV扫描仪相同的缩小率和视场大小，是曝光次临界层的理想选择，这些层大约占设备20层或更多层的一半。这些特性与高产量相结合，提供了成本性能和生产力的卓越组合，有助于降低资本成本。
NSR-SF120的设计方式类似于扫描型KrF步进器NSR-S204B、NSR-S205C和NSR-S206D，以及ArF步进器NSR-S305B和NSR-S306C。新开发的高数值孔径镜头使i-line分辨率飞跃至280 nm。该系统可以有效地暴露次临界层以支持130-100 nm设备节点，同时为300 mm时代提供高吞吐量。
团队介绍
ASML和NIKON光刻机的翻新改造、安装调试及维护的核心技术能力。国内唯一完成过ArF, KrF, I Line, G Line全部光刻机工程案例的团队。
针对12英寸及以下的不同尺寸（包括硅、碳化硅、氮化镓、 蓝宝石等）、不同掩模版尺寸的要求，可实现自主设计、 加工制造、集成调整的改造能力。
能够进行包括光学系统在内的全面翻新、调试、测试， 具备完整的运行保障能力，和备品备件的供应。
针对不同产品（如MEMS、MICROLED、DMOS、CMOS 等），具备资深的工艺人才和技术基础，能够针对不同的 产品特性进行设备选型、技术匹配及工艺试验。
技术参数表
| 验收项目 | 机型指标 | 条件 |
| ☆最小解析线宽 | 0.30um | 5pts V/H , resist thickness <1.0um |
| ☆最小解析线宽UDOF UDOF | 0.5um | 5poits 0.35um L&S V/H full field guarantee |
| ☆CD均匀性 | ≤50nm | 5points V/H: 0.35um L&S film thickness<1um |
| Focus calibration repeatability | 3sig≤60nm | 20 times measurement |
| ☆镜头畸变 | within ±25nm | 37 pionts measurement |
| maximum area | 25mm*33mm | |
| reticle blind setting accuracy | 0.4mm to 0.8mm | |
| Exposure power | ≥1200mw/cm2 | |
| Intergrated exposure control | within ±1% | Input time:100,200,400,800msec |
| ☆光强均匀性Illumination uniformity | within 1.5% | 5 times measurement |
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Reticle rotation (1) absolute value (2) repeatability |
within 20nm | With slow mode |
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☆对准精度 Overlay accuracy (1)lsa-ega (2)fia-ega |
(1) 3sig ≤ 40nm (2) 3sig ≤ 40nm |
Overly of resist images (1) lsa-ega 10piont shot center (2) fia-ega 10piont shot center |
| Array Orthogonality | within ±0.1sec | Average of 3 wafers |
| ☆工作台步进精度Stepping precision | 3sig≤25nm | Measured on 3 wafers |
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operational test (1)wafer system (2)reticle system |
(1) success rate 100% (2) success rate 100% | (1)100 wafers 2nd exposure (2)3 times for every slot |
| Wafer pre-alignment | 6inch:3sig≤15um | 100times measurement Y,X,T |
| Focus stability | MAX-MIN≤0.6um | Continue 1week(5days) |
| magnification error | within 15nm | Make judgment from 3points |
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☆Throughout （1）lsa-ega （2）fia-ega |
（>72pcs/hr） |
32shots(150mm,25pcs);130msec (1) lsa-ega 10 points (2) fia-ega 10 points |
| ☆像面倾斜度INC | <0.25um | 5 POINT V/H |
| Astigmatism total focus deviation 0.35um L&S | ≤0.2um | 5points V/H: 0.35um L&S film thickness<1um |
| Field Curvature | ≤0.25um | 5 points V/H |
| ☆特殊照明方式RET | 具备 | 具备Annual/Shrinc照明方式 |
| Chip leveling accuracy | within ±1.5sec | 5 times measurement |
| Chuck Flatness | Max-Min≤2.5um | SEMI STD silicon wafer |
| Chuck TTV | TTV within 1um | Chuck specification report |
