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尼康Nikon 二手翻新现货i线步进式光刻机NSR-SF120

发布日期:2022-04-26

这些i-line步进器具有与尼康DUV扫描仪相同的缩小率和视场大小,是曝光次临界层的理想选择,这些层大约占设备20层或更多层的一半。这些特性与高产量相结合,提供了成本性能和生产力的卓越组合,有助于降低资本成本。

NSR-SF120的设计方式类似于扫描型KrF步进器NSR-S204B、NSR-S205C和NSR-S206D,以及ArF步进器NSR-S305B和NSR-S306C。新开发的高数值孔径镜头使i-line分辨率飞跃至280 nm。该系统可以有效地暴露次临界层以支持130-100 nm设备节点,同时为300 mm时代提供高吞吐量。尼康Nikon 二手翻新现货i线步进式光刻机NSR-SF120

团队介绍

ASML和NIKON光刻机的翻新改造、安装调试及维护的核心技术能力。国内唯一完成过ArF, KrF, I Line, G Line全部光刻机工程案例的团队。

针对12英寸及以下的不同尺寸(包括硅、碳化硅、氮化镓、 蓝宝石等)、不同掩模版尺寸的要求,可实现自主设计、 加工制造、集成调整的改造能力。

能够进行包括光学系统在内的全面翻新、调试、测试, 具备完整的运行保障能力,和备品备件的供应。

针对不同产品(如MEMS、MICROLED、DMOS、CMOS 等),具备资深的工艺人才和技术基础,能够针对不同的 产品特性进行设备选型、技术匹配及工艺试验。

技术参数表

验收项目 机型指标 条件
☆最小解析线宽 0.30um 5pts V/H , resist thickness <1.0um
☆最小解析线宽UDOF UDOF 0.5um 5poits 0.35um L&S V/H full field guarantee
☆CD均匀性 ≤50nm 5points V/H: 0.35um L&S film thickness<1um
Focus calibration repeatability 3sig≤60nm 20 times measurement
☆镜头畸变  within ±25nm 37 pionts measurement
maximum area 25mm*33mm
reticle blind setting accuracy 0.4mm to 0.8mm
Exposure power ≥1200mw/cm2
Intergrated exposure control within ±1% Input time:100,200,400,800msec
☆光强均匀性Illumination uniformity within 1.5%  5 times measurement
Reticle rotation
(1) absolute value (2) repeatability
within 20nm With slow mode
☆对准精度 Overlay accuracy (1)lsa-ega
(2)fia-ega
(1) 3sig ≤ 40nm (2) 3sig ≤ 40nm Overly of resist images
(1) lsa-ega 10piont shot center (2) fia-ega 10piont shot center
Array Orthogonality within ±0.1sec Average of 3 wafers
☆工作台步进精度Stepping precision 3sig≤25nm Measured on 3 wafers
operational test
(1)wafer system (2)reticle system
(1) success rate 100% (2) success rate 100% (1)100 wafers 2nd exposure (2)3 times for every slot
Wafer pre-alignment 6inch:3sig≤15um 100times measurement Y,X,T
Focus stability MAX-MIN≤0.6um Continue 1week(5days)
magnification error within 15nm Make judgment from 3points 
☆Throughout
(1)lsa-ega
(2)fia-ega
(>72pcs/hr) 32shots(150mm,25pcs);130msec (1) lsa-ega 10 points
(2) fia-ega 10 points
☆像面倾斜度INC <0.25um 5 POINT V/H
Astigmatism total focus deviation 0.35um L&S ≤0.2um 5points V/H: 0.35um L&S film thickness<1um
Field Curvature ≤0.25um 5 points V/H
☆特殊照明方式RET 具备 具备Annual/Shrinc照明方式
Chip leveling accuracy within ±1.5sec 5 times measurement
Chuck Flatness Max-Min≤2.5um SEMI STD silicon wafer
Chuck TTV TTV within 1um Chuck specification report


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