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ABM,Inc.正面对准(TSV)光刻机

发布日期:2022-06-13

  ABM,Inc.正面对准(TSV)光刻机

光学系统

 曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s);

 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;

 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;

 有安全保护装置的温度及其气流传感器;

 全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;

 波长滤片检查及安装装置;

 抗衍射反射功能高效反光镜;

 二向色的防热透镜装置;

 防汞灯泄漏装置;

 配备蝇眼棱镜装置;

 配备近紫外光源,

    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2

    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2

    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2

    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置:

 6”,8”光源系统

 可支持2”,3”,4”,6”,8”(圆/方片)及碎片光刻(支持特殊工艺卡盘设计)

 手动系统,半自动系统,

 支持电源350-2000 Watt

 支持深紫外近紫外波长(可选项)<1.84度;

 CCD或显微镜对准系统

主要性能指标::

 光强均匀性Beam Uniformity:

    --<±1% over 2” 区域

    --<±2% over 4” 区域

    --<±2.5% over 6” 区域

 接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um

 接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV): 0.5 um

 支持接近式曝光,特征尺寸CD:

    --0.8um 硬接触

    --1um 20 um 间距时

    --2um 50um 间距时

 正面对准精度±0.5um

 支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um

 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻

 支持真空、接近式、接触式曝光

 支持恒定光强或恒定功率模式

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