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佳能 i-line步进器光刻机FPA-3030iWa

发布日期:2022-06-13

FPA-3030iWa 支持直径为 200 毫米或更小的较小基板。

支持从 50 毫米(2 英寸)到 200 毫米(8 英寸)的各种晶圆尺寸。

FPA-3030 平台自发布以来已在市场客户中展示了高可靠性。

可提供 52mm x 52mm 的宽曝光范围。

佳能i-line步进式光刻机FPA-3030iWa

支持制造各种设备及其工艺的广泛需求

具有 0.16 至 0.24 范围内的可变数值孔径 (NA) 的 52 mm x 52 mm 宽视场投影镜头可提供大焦深 (DOF) 并实现高精度曝光和高均匀度线宽图案的创建。

支持各种不同的晶圆尺寸和材料

FPA-3030iWa 可以配备一个处理系统,可以选择从 50 毫米(2 英寸)到 200 毫米(8 英寸)的晶圆直径,以支持各种不同的化合物半导体晶圆尺寸和材料。

采用具有增强稳健性的离轴对准范围

FPA-3030iWa 采用离轴对准范围,通过不通过投影镜头的光路测量晶圆对准标记。这允许离轴对准系统使用广泛的对准照明波长,提供稳健的对准过程优化。

通过新设计的硬件和软件提高吞吐量

系统更新使 FPA-3030iWa 与新选项兼容,包括支持翘曲和透明晶圆工艺(如碳化硅)的晶圆转移功能和允许同时进行 X 和 Y 对准标记测量以提高步进生产率的对准系统选项。

参数规格

Resolution
≦ 0.8 µm
NA (Numerical Aperture)
0.24-0.16 (Variable)
Reduction Ratio
1:2
Field Size
52mm x 52mm
Exposure Wavelength
i-Line 365nm
Reticle Size
6inch
Wafer Size
50mm(2inch) / 75mm(3inch) / 100mm(4inch) / 150mm(6inch) / 200mm(8inch) (Selection)
Overlay Accuracy
≦ 100nm
Main Body Dimensions
(W) 1,900× (D) 2,600× (H) 2,450mm
Major Options
Wafer handling Kit for Special Substrates
PC Remote Console
GEM-compliant online software
Pellicle particle Checker
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