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等离子气相沉积设备 AD-230LP

发布日期:2022-05-18

AD-230LP是一种原子层沉积(ALD)系统,能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室,仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室,且不向大气开放反应室,因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。

主要特点和优点


可以在原子层水平上实现均匀的层控制。

可实现高纵横比结构的共形沉积。

具有优良的平面内均匀性和再现性,实现了稳定的工艺。

采用独特的反应室结构,优化了原料的气路和气体流,抑制了粒子。

通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统,使反应室体积最小化,缩短了气体吹扫时间,加快了一个循环的速度。

应用

氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)。

电子设备的闸门绝缘子

半导体、有机EL等的钝化膜。

半导体激光器的反射面

在MEMS等3D结构上的沉积

石墨烯上的沉积

碳纳米管保护膜粉末涂层

等离子气相沉积设备 AD-230LP


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