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TEL 二手气相化学沉积CVD设备triase

发布日期:2022-06-30

半导体工艺技术一直在不断缩小规模并朝着 3D 结构发展,这对薄膜沉积提出了挑战。Trias  EX-II TiN(氮化钛)是一种先进的 300mm 单晶片沉积系统,适用于高速 ASFD ,可实现具有出色晶片内均匀性和高台阶覆盖特性的高质量薄膜形成。该系统采用优化的反应器设计和新的气体注入模块,即使在领先的半导体器件制造中也能实现高生产率,并用于各种应用,包括接触势垒、电容器电极、字线势垒和金属栅极的形成。三重奏EX-II TiN Plus 为复杂结构上的 TiN 保形金属沉积提供了出色的均匀性。此外,产品阵容中还新增了两款最新型号。Trias EX-I TiN Plus HT 专门用于高温 TiN 沉积,旨在通过降低杂质水平获得更低的接触电阻薄膜,而 Trias EX-II  TiON(氧氮化钛)提供低漏电流 TiON 薄膜沉积可用于 MIM 电容器电极的形成。所有这些型号都具有灵活的设计,最多可以集成四个腔室,并且单个腔室已经优化了清洁技术,以实现高生产率和低 CoC。

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