样品容量：全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安装样品。Loadlock允许样本传输时间<2min；
操作平台：在x轴和y轴上进行200mm的平台运动。Z轴范围15mm。连续旋转。倾斜范围-5至55度。精度<1um绝对平均值且<2um（85%公差间隔）超过25mm；
电子束性能：肖特基场发射枪，浸没式最终透镜分辨率3nm，5kV 5mm WD。电压范围为200V至30kV；
离子束性能：1500小时镓离子源。7nm分辨率。工作电压为5kV至30kV。束流1pA至11nA；
探测器：通过透镜检测器（TLD）和连续双节点电子倍增器（CDEM）进行二次电子、背散射电子和二次离子检测。红外CCD摄像机，用于样品的低倍率图像；
束化学：XeF2用于Si和SiO2研磨增强。离子束和电子束沉积六羰基钨，用于沉积钨金属焊盘、通孔和线路。两个额外气体喷射器的容量。TEO用于沉积绝缘膜，H2O用于增强碳基材料的研磨，铂和钼用于沉积导线和通孔；
样品操纵器：用于从晶圆基板提取铣削薄片样品的软件控制探针。
