13730999691
产品中心

Products Center

二手现货 双电子束电镜 FEI XL830

发布日期:2022-06-13

样品容量:全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安装样品。Loadlock允许样本传输时间<2min;

操作平台:在x轴和y轴上进行200mm的平台运动。Z轴范围15mm。连续旋转。倾斜范围-5至55度。精度<1um绝对平均值且<2um(85%公差间隔)超过25mm;

电子束性能:肖特基场发射枪,浸没式最终透镜分辨率3nm,5kV 5mm WD。电压范围为200V至30kV;

离子束性能:1500小时镓离子源。7nm分辨率。工作电压为5kV至30kV。束流1pA至11nA;

探测器:通过透镜检测器(TLD)和连续双节点电子倍增器(CDEM)进行二次电子、背散射电子和二次离子检测。红外CCD摄像机,用于样品的低倍率图像;

束化学:XeF2用于Si和SiO2研磨增强。离子束和电子束沉积六羰基钨,用于沉积钨金属焊盘、通孔和线路。两个额外气体喷射器的容量。TEO用于沉积绝缘膜,H2O用于增强碳基材料的研磨,铂和钼用于沉积导线和通孔;

样品操纵器:用于从晶圆基板提取铣削薄片样品的软件控制探针。

双电子束电镜 FEI XL830

打开侧盖FEI XL830系统内部

打开后盖的FEI XL830系统视图

FEI XL830内部图

FIB截面

用于薄板提取的探针

加载锁打开,放置晶片

其它产品
公司地址
青岛国际博士后创新创业园6号楼7F
联系方式
售前热线:13730999691(微信同号)
免费热线:13730999691
咨询微信
产品中心服务项目 客户案例新闻资讯关于佳鼎联系我们