设备描述及主要配置
机台针对 4 寸晶圆后端制程设计，用于单片清洗。
机台为半自动机台，人工将晶圆放置于 Chuck 上后，机台自动完成工艺过程，再由人工收回晶圆。
晶圆通过真空吸附在 Chuck 上，电机带动晶圆做离心式旋转，同时配合药液完成清洗工艺。
工艺参数
最大空载转速： 2000 rpm；
最小调整量：3rpm；
转速精度： ±2rpm（50-3000rpm）
颗粒：直径＞0.5um，数量＜35ea；
正面无沾污、印迹、划伤等外观异常
清洗时间：60s（根据清洗循环次数和效果决定）
机台针对 4 寸晶圆后端制程设计，用于单片清洗。
机台为半自动机台，人工将晶圆放置于 Chuck 上后，机台自动完成工艺过程，再由人工收回晶圆。
晶圆通过真空吸附在 Chuck 上，电机带动晶圆做离心式旋转，同时配合药液完成清洗工艺。
最大空载转速： 2000 rpm；
最小调整量：3rpm；
转速精度： ±2rpm（50-3000rpm）
颗粒：直径＞0.5um，数量＜35ea；
正面无沾污、印迹、划伤等外观异常
清洗时间：60s（根据清洗循环次数和效果决定）
