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佳能二手i-line步进式光刻机FPA-3030i5a

发布日期:2022-06-13

FPA-3030i5a 支持直径为 200 毫米或更小的较小基板。

*支持从 50 毫米(2 英寸)到 200 毫米(8 英寸)的各种晶圆尺寸。

*在 8 英寸晶圆条件下,与之前的型号 (FPA-3030i5+) 相比,生产率提高了约 17%。

*与之前的型号 (FPA-3030i5+) 相比,新的腔室温度控制系统有助于将功耗降低约 20%。

*通过采用支持暗场对准测量的离轴对准范围,增强了工艺稳健性。

佳能i-line步进式光刻机FPA-3030i5a

支持各种不同的晶圆尺寸和材料

FPA-3030i5a 可以配备一个处理系统,可以选择从 50 毫米(2 英寸)到 200 毫米(8 英寸)的晶圆直径,以支持各种不同的化合物半导体晶圆尺寸和材料。

采用增强稳健性的对齐范围

FPA-3030i5a 采用离轴对准范围,通过不通过投影镜头的光路测量晶圆对准标记,可以使用广泛的对准照明波长。并且通过使用暗场进行对准测量可以增强过程的鲁棒性。

TSA(通过硅对准)也可作为支持各种客户制造工艺的选项。

通过重新设计的新硬件和软件降低拥有成本

通过采用可缩短对准标记测量时间的新对准范围和更快的处理系统等硬件以及更新软件,在 8 英寸晶圆条件下,与之前的型号(FPA-3030i5+)相比,生产率提高了约 17% .

通过采用新的腔室温度控制系统,与之前的型号(FPA-3030i5+)相比,功耗降低了约 20%。

规格参数

Resolution
≦ 0.35 µm
Reduction Ratio
1:5
Field Size
20mm x 20mm(5inch)/ 22mm x 22mm(6inch)
Exposure Wavelength
i-line 365 nm
Reticle Size
5 inch / 6 inch (Selection)
Wafer Size
50mm(2inch) / 75mm(3inch) / 100mm(4inch) / 150mm(6inch) / 200mm(8inch) (Selection)
Overlay Accuracy
≦ 40 nm
Main Body Dimensions
(W) 1,900× (D) 2,600× (H) 2,450mm (Included exhaust duct: 2650mm)
Major Options
Wafer Handling Kit for Special Substrates
PC Remote Console
GEM-compliant online software
Pellicle Particle Checker
Through Silicon Alignment
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青岛国际博士后创新创业园6号楼7F
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