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ABM,Inc.全自动双面对准光刻机，正面对准精度±1um，对准光学系统：电控双目镜双视场CCD系统，两组目镜有效视场分离可调节间距10mm-150mm紫外波长：UV400...
ABM,Inc.全自动正面对准光刻机，正面对准精度±1um，对准光学系统：电控双目镜双视场CCD系统，两组目镜有效视场分离可调节间距10mm-150mm紫外波长：UV400...
ABM,Inc.双面对准（BSV）光刻机Sa系列，曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)； 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；...
曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)； 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环； 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标； 有安全保护装置的温度及其气...
FPA-3030iWa 支持直径为 200 毫米或更小的较小基板。支持从 50 毫米（2 英寸）到 200 毫米（8 英寸）的各种晶圆尺寸。...
FPA-3030i5a 支持直径为 200 毫米或更小的较小基板。支持从 50 毫米（2 英寸）到 200 毫米（8 英寸）的各种晶圆尺寸。...
FPA-3030i5+步进器为IoT和MEMS制造商处理各种基板和材料提供了灵活性。FPA-3030i5+步进器能够提供350nm的成像分辨率，同时保持小于或等于40nm的叠加精度和等于或超过每小时104个晶圆的吞吐量...
佳能KrF光刻机FPA-6300ESW采用248nmKRF曝光光源，分辨率130nm，专为12英寸晶圆设计。...
斯公司的 MA/BA 4 代系列是最新一代的半自动光刻和键合对准机，并引进了新的平台系统。新平台主要是配置不同。它由标准款 MA/BA 4 代与用于先进高端工艺的扩展 MA/BA 4 代专业款组成。...
MA12是专为对准和曝光300毫米以下方形衬底和晶圆而设计的，适合于工业研究和生产。凭借灵活处理和过程控制解决方案，本设备主要用于先进封装，包括3D圆晶级芯片尺寸封装, 以及开发...
SUSS MicroTec为热门化合物半导体工艺专门设计了一款新型光刻平台：MA100/150e Gen2。化合物半导体工艺，是指诸如高亮发光二极管（HB-LEDs）、功率器件、RF-MEMS等方面的半导体应用。MA100/1...
SUSS MA200 3代光刻机专为大批量生产而设计，适用于200毫米以下晶圆和方形衬底的自动化加工。本系统集全场光刻技术与多种创新功能于一身。使其成为众多应用的首选系统，例如生产厚...
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