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RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 "RIE-10NR "的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，P...
RIE等离子蚀刻系统 RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统，它提高了工艺的可重复性，并允许腐蚀性气体化学。完全优化的工艺室设计可在ø8 "晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优...
SAMCO等离子刻蚀机RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3"×12，ø4"×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在最大限度地减少工厂空间需求，提...
Gasonics等离子刻蚀系统L3510 设计用于半导体晶圆的灰化和清洗。Gasonics等离子刻蚀系统L3510 通过产生单原子氧（一种活性物质）来做到这一点，它与晶圆表面的光刻胶发生化学反应。...
LAM RESEARCH刻蚀系统TCP 9400最初设计用于生产多晶硅蚀刻，可批量处理6英寸晶圆...
LRC Rainbow 蚀刻机专为连续操作而设计，由计算机控制，允许手动或自动控制。Lam Rainbow 44XX 系列可用于硅化钨、氮化硅、多晶硅、氧化物、结晶硅等。...
HITACHI二手翻新现货刻蚀机M308 AT采用金属蚀刻工艺，针对于8英寸(200mm)尺寸的晶圆处理。...
AMAT等离子蚀刻机AME 8100用于反应离子氧化物、氮化物和抗蚀剂除渣的蚀刻。系统是配置为处理4英寸、5英寸或6英寸晶圆。系统是完整并处于良好的运行状态，附带大量备件。...
AMAT 二手刻蚀设备Centura 5200生产于1998年，针对于6-8英寸JMF形晶圆进行刻蚀处理。...
AMAT 刻蚀设备CENTURA DPS 2，具有4个作业腔室，3个DPS II腔室和一个Axiom室，采用ASHERS过程工艺，针对于12英寸晶圆进行高效处理。...
UNITY™ Me 在 200 毫米晶圆内实现等离子蚀刻工艺的卓越性价比，提供卓越的可靠性和生产力。近年来，该系统通过演示用于尖端功率器件制造的高性能 Si/SiC 沟槽蚀刻工艺，获得了大量好...
TEL刻蚀系统Certas LEAGA™ 是一种环保、高通量的气体化学蚀刻系统，专为 300 毫米晶圆而设计，无需使用液体即可提供表面蚀刻和清洁。...
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